發佈單位：經濟部國貿局
時間：2005年9月
經濟部國際貿易局表示，國際出口管制組織「瓦聖那協議」（the Wassenaar Arrangement，WA）已於去(93)年底修訂半導體晶圓製程技術水準之出口管制規定，由0.35微米放寬為0.18微米。
貿易局續表示，美國商務部依據上述WA之決議，於本（94）年7月15日在聯邦公報公告修正出口管制之商業管制清單（CCL），美方修正CCL之重點包括：
（1）半導體設備之儲存程式控制微影（lithography）設備之最小可解析尺寸由現行0.35微米（μm）放寬為180奈米（nm）（亦即0.18微米）。
（2）放寬對中國大陸等Tier3高風險國家輸出高性能電腦技術管制門檻，由目前的每秒75,000運算速度（MTOPS），放寬至每秒190,000運算速度。
（3）以國家安全考量管制Acoustics「聲控器」，cameras, optical sensors「光學感應器」，Navigation「航運」等產品出口及再出口至北韓、蘇丹及敘利亞。
（4）以區域安全考量管制CCL「6A002.a.3.f」及「6A003.b.4.b」focal plane arrays及其零件出口及再出口等4項規定。
貿易局指出，該局已洽請我駐美經濟組向美方查證了解，美國對中國大陸半導體製造設備之出口管制政策，係依據「瓦聖那協議」規定辦理，即0.18微米以上原則允許，0.18微米以下採個案方式審理。審查時係以美國國家安全為優先考量，並確認該等設備及產品不會使用於軍事用途。
該局另指出，為配合「瓦聖那協議」之修訂，貿易局已於本年9月9日公告半導體晶圓製程技術之出口管制修正為0.18微米。惟我國目前開放半導體晶圓製程技術水準輸往中國大陸仍限為0.25微米以上，此為我國對半導體晶圓製造廠商將8吋晶圓製程設備出口至中國大陸之規範。
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